Περίληψη: Ο νοτιοκορεάτης κολοσσός των ηλεκτρονικών ανακοίνωσε την έναρξη παραγωγής μνημών 16GB LPDDR5 για smartphones!
4 Μαρτίου , 2020 • 1 MIN READ
4 Μαρτίου , 2020 • 1 MIN READ
Περίληψη: Ο νοτιοκορεάτης κολοσσός των ηλεκτρονικών ανακοίνωσε την έναρξη παραγωγής μνημών 16GB LPDDR5 για smartphones!
Δεν πέρασαν παρά μερικοί μήνες από την τελευταία ανακοίνωση της Samsung και ήδη έχουμε το επόμενο βήμα στις μνήμες για smartphones. Η τεχνολογία Low-Power DDR5 είναι έτοιμη και μάλιστα η εταιρεία έχει ξεκινήσει την μαζική τους παραγωγή. Προφανώς η Samsung θα βάλει τις ολοκαίνουριές της μνήμες στα εξίσου ολοκαίνουργιά της smartphones, με πρώτο και καλύτερο το νέο Galaxy S20 Ultra!
Το νέο εδώ είναι η χωρητικότητα των μνημών – σημειωτέον ότι μιλάμε για μνήμες RAM και όχι «μνήμες» από αυτές που χρησιμοποιούνται για τον «σκληρό δίσκο» των συσκευών. Η χωρητικότητα της κάθε συσκευασίας μνήμης είναι 16GB, κάνοντας εφικτό να κυκλοφορήσουν smartphones ακόμη και με 32GB RAM, ξεπερνώντας κατά πολύ το μέσο laptop!
[Σημείωση: όταν λέμε «συσκευασία» εννοούμε το μαύρο τσιπάκι που εμείς βλέπουμε και το οποίο περιλαμβάνει πολλά μικροτσίπ στο εσωτερικό του.]
Μάλιστα η τεχνολογία LPDDR5 επιτρέπει και τη μείωση της κατανάλωσης, παρά την αυξημένη χωρητικότητα, μιας και η κατανάλωση της νέας μνήμης είναι μειωμένη κατά 20% σε σχέση με το μοντέλο των 8GB τεχνολογίας LPDDR4X της προηγούμενης γενιάς. Αλλά και η ταχύτητα της νέας μνήμης είναι αυξημένη, με ρυθμό μεταφοράς δεδομένων στα 5500MT/s και bandwidth στα 44GB/s.
Όπως έχει αποκαλύψει η Samsung, η μνήμη στο εσωτερικό της κρύβει 8 μικροτσίπ των 12Gb (giga-bit) και 4 των 8Gb, δίνοντάς μας ένα σύνολο 16GB (giga-byte) – 1 byte = 8 bits.
Τα μικροτσίπ των 12Gb κατασκευάζονται από τη Samsung με τη λιθογραφία τάξης 10 νανομέτρων 2ης γενιάς (10nm class, γνωστή και ως 1y nm) ενώ δεν έχει αναφέρει κάτι αντίστοιχο για τα μικροτσίπ των 8Gb – αν και μπορούμε να εικάσουμε πως μιλάμε για την ίδια λιθογραφία.
Επίσης γνωρίζουμε πως σε λίγους μήνες θα αρχίσει η παραγωγή μικροτσίπ στα 16GΒ από τα εργοστάσια 10 νανομέτρων 3ης γενιάς της εταιρείας (γνωστή και ως 1z nm). Τα νέα αυτά μικροτσίπ θα φτάνουν σε ρυθμό μεταφοράς τα 6400MT/s με χαμηλότερη κατανάλωση. Εκεί περιμένουμε να δούμε μνήμες χωρητικότητας ακόμη και 32GB σε μία συσκευασία.